MRAM
新型非易失存储器件
构建新一代 AI 算力方案
自旋有序 芯智无界
释放极限，打造更高效的 AI 算力方案
以 MRAM 存内计算重塑 AI 算力架构，拓展有效计算域
MRAM×存内计算
源自中科院半导体研究所国家重点实验室
存内计算
存储与计算深度融合的架构
Technological Innovation
技术创新
熵旋芯智首创全栈软硬协同的创新路径
熵旋芯智首创全栈软硬协同的创新路径
介质创新实现存储与计算融合
架构创新让数据计算就地完成
以 MRAM 为核心介质，构建存内计算基础，推动存储与计算深度融合，有效减少数据搬运，降低系统功耗与访存延迟采用存算一体设计，将更多计算任务在存储侧完成，不再进行数据搬运，实现整体能效提升
依托全栈软硬协同体系，充分发挥存内计算架构优势，为大模型推理与边缘智能提供高能效算力支撑，构建面向后摩尔时代的新一代计算底座
Product Roadmap
产品路线
当前为云端侧硬件，第 2 / 3 项
核心优势
MRAM×存算一体MRAM×存算一体
核心优势
熵旋芯智以MRAM新型存储器件为核心，融合存内计算架构，打造涵盖器件、算法、架构及软件系统的全栈技术体系。依托MRAM非易失、高速读写、长寿命及CMOS工艺兼容等特性，将计算能力引入存储阵列，在阵列内完成计算，从架构层面降低数据搬运带来的能耗与时延，有效缓解传统计算体系面临的“存储墙”与“功耗墙”问题。
基于这一技术路线，熵旋芯智构建覆盖边缘到云端的计算平台，为生成式AI、大模型推理、复杂组合优化及边缘智能等场景提供高能效、易部署的新一代算力支撑。
应用场景
Application Scenario
图片为概念图仅供参考
95%以上
员工硕博率
100%
研发部门名校率
30+
专利数
源自中国科学院国家重点实验室 | 国家杰青领衔
顶尖团队
打造国内首个基于MRAM的全栈存内计算平台
Team Introduction
团队介绍
雷坤
创始人兼CEO中国科学院半导体研究所博士，长期深耕自旋电子学、半导体器件与概率计算前沿领域研究，在相关核心技术领域拥有10余项发明专利，在国际顶尖期刊发表多篇核心论文，兼备顶尖的学术科研造诣与丰富的半导体产业工程化经验。
“我们要回到物理本源，重新思考计算是什么、应该是什么。”
核心人才
核心团队成员来自中科院、清华、北大、中科大、北航、剑桥、帝国理工、巴黎萨克雷大学等国内外知名高校和顶尖科研机构的科研中坚，在器件物理、自旋电子学等前沿交叉学科拥有深厚的学术积淀；同时吸纳了多位深耕半导体与人工智能芯片领域数十年的资深产业专家，具备丰富的商业化芯片量产与全栈工具链开发经验。
95%以上
员工硕博率
100%
研发部门名校率
30+
专利数
