核心优势

底层器件优势

熵旋芯智以MRAM和自旋电子技术为核心技术原点，具备从材料、MTJ器件、工艺协同、建模测试到存算阵列设计的系统积累。在此基础上，公司推动MRAM从负责保存数据的存储介质，升级为能够承载模型权重、参与原位计算并持续释放算力的新型算力介质，为高能效AI推理提供底层技术基础。

熵旋芯智通过MRAM权重长期驻留、阵列内原位计算及并行处理，缩短数据流动路径，减少频繁访存与无效等待，将更多芯片资源转化为能够被任务实际利用的有效算力，持续拓展单位芯片面积下的有效计算域。

公司采用MRAM原位主计算与高精度辅助核心协同的异构架构，通过全栈协同、校准补偿、Fab协同、多轮流片及软硬件联调，逐步形成从器件验证到芯片、软件和应用交付的完整技术闭环。

公司依托的核心科研团队拥有近20年技术积累，累计发表高水平论文160余篇，形成发明专利30余项，并围绕MRAM、MTJ器件及并行计算持续开展知识产权布局。以开放异构的方式进入现有计算系统，推动底层创新从可验证走向可迁移、可交付和可量产。